Enduraz TS01 洁净|广泛的耐化学性|适合静态应用
特性与优势
• 洁净、低析出物
• 优越的氧、氟等离子体耐受性
• 较低的颗粒生成量
• 低放气率
• 高耐磨性
• 优异的机械和密封性能
应用领域
• 腔体密封
• 气体管路密封
• 阀门密封
• 法兰密封
• Bonded slit valve doors
工艺应用
• 沉积工艺(PECVD, HDPCVD, SACVD, ALD, PVD)
• 干法刻蚀
• 湿法刻蚀
• 氧化/扩散
• 去胶工艺
• Remote plasma clean
性能参数
| 典型值 | ||
| 材质 | Enduraz TS01 | |
| 颜色 | 半透明 | |
| 硬度, Shore A | 69 | |
| 100%模量, Mpa | 4.2 | |
| 抗拉强度, Mpa | 17.8 | |
| 延展性, % | 274 | |
| 压缩形变: 204℃，70h | 22 | |
| 工作温度 | 280℃ | |
Enduraz TS01是全新一代全氟弹性体，旨在满足半导体制造过程中苛刻的等离子体、强腐蚀性气体以及超洁净的工艺要求。
其独特的配方可提供出色的等离子和化学物质耐受性，其金属含量极低，放气率极低，且具备优异的机械和密封性能。
Enduraz TS01的使用温度范围为-10至280°C，适用于大多数干法和湿法半导体工艺（包括CVD，干法蚀刻，晶片清洁，去除聚合物，湿法蚀刻，抛光等）的静态应用。
其独特的配方可提供出色的等离子和化学物质耐受性，其金属含量极低，放气率极低，且具备优异的机械和密封性能。
Enduraz TS01的使用温度范围为-10至280°C，适用于大多数干法和湿法半导体工艺（包括CVD，干法蚀刻，晶片清洁，去除聚合物，湿法蚀刻，抛光等）的静态应用。
