Enduraz TS01A 洁净|广泛的耐化学性|适合动态应用
特性与优势
• 洁净、低析出物
• 优越的氧、氟等离子体耐受性
• 较低的颗粒生成量
• 低放气率
• 高耐磨性
• 优异的机械和密封性能
应用领域
• 腔体密封
• 气体管路密封
• 阀门密封
• 法兰密封
• Bonded slit valve doors
工艺应用
• 沉积工艺(PECVD, HDPCVD, SACVD, ALD, PVD)
• 干法刻蚀
• 湿法刻蚀
• 氧化/扩散
• 去胶工艺
• Remote plasma clean
性能参数
典型值 | ||
材质 | Enduraz TS01A | |
颜色 | 半透明 | |
硬度, Shore A | 73 | |
100%模量, Mpa | 4.7 | |
抗拉强度, Mpa | 18.7 | |
延展性, % | 260 | |
压缩形变: 204℃,70h | 23 | |
工作温度 | 280℃ |
Enduraz TS01A是全新一代全氟弹性体,旨在满足半导体制造过程中苛刻的等离子体、强腐蚀性气体以及超洁净的工艺要求。
其独特的配方可提供出色的等离子和化学物质耐受性,其金属含量极低,放气率极低,且具备优异的机械和密封性能。
Enduraz TS01A是Enduraz TS01的升级材质,使用温度范围为-10至280°C,适用于大多数干法和湿法半导体工艺(包括CVD,干法蚀刻,晶片清洁,去除聚合物,湿法蚀刻,抛光等)的静态应用,更适合于动态环境使用。
其独特的配方可提供出色的等离子和化学物质耐受性,其金属含量极低,放气率极低,且具备优异的机械和密封性能。
Enduraz TS01A是Enduraz TS01的升级材质,使用温度范围为-10至280°C,适用于大多数干法和湿法半导体工艺(包括CVD,干法蚀刻,晶片清洁,去除聚合物,湿法蚀刻,抛光等)的静态应用,更适合于动态环境使用。