Enduraz TS01是全新一代全氟弹性体，旨在满足半导体制造过程中苛刻的等离子体、强腐蚀性气体以及超洁净的工艺要求。
其独特的配方可提供出色的等离子和化学物质耐受性，其金属含量极低，放气率极低，且具备优异的机械和密封性能。
Enduraz TS01的使用温度范围为-10至280°C，适用于大多数干法和湿法半导体工艺（包括CVD，干法蚀刻，晶片清洁，去除聚合物，湿法蚀刻，抛光等）的静态应用。

Enduraz XM01是一款专为半导体严苛制程研发的耐高温材质，其工作范围为-10至315°C，可以耐受诸如LPCVD、RTP、外延炉等超高温系统的工作环境。 除了出色的耐热性，Enduraz XM01还具有良好的耐等离子体性能，适用于大多数等离子体制程工艺（如蚀刻，PECVD，LPCVD，WCVD，PVD，ALD，等离子清洗等）。 此外，它还可以提供广泛的在多种介质中的耐化学性，包括酸，苛性碱，酮，醛，酯，醚，醇，溶剂，酸性气体和碳氢化合物等。

Enduraz TS01A是全新一代全氟弹性体，旨在满足半导体制造过程中苛刻的等离子体、强腐蚀性气体以及超洁净的工艺要求。
其独特的配方可提供出色的等离子和化学物质耐受性，其金属含量极低，放气率极低，且具备优异的机械和密封性能。
Enduraz TS01A是Enduraz TS01的升级材质，使用温度范围为-10至280°C，适用于大多数干法和湿法半导体工艺（包括CVD，干法蚀刻，晶片清洁，去除聚合物，湿法蚀刻，抛光等）的静态应用，更适合于动态环境使用。

Enduraz XM02是一款专为半导体严苛制程研发的耐高温材质，其工作范围为-10至300°C，可以耐受诸如LPCVD、RTP、外延炉等超高温系统的工作环境。 除了出色的耐热性，Enduraz XM02还具有良好的耐等离子体性能，适用于大多数等离子体制程工艺（如蚀刻，PECVD，LPCVD，WCVD，PVD，ALD，等离子清洗等）。 此外，它还可以提供广泛的在多种介质中的耐化学性，包括酸，苛性碱，酮，醛，酯，醚，醇，溶剂，酸性气体和碳氢化合物等。